功率晶体管是新型射频功率器件，具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点，特别适合在集成电路中作功率器件，晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
晶体管分类
资料来源：共研产业咨询（共研网）
功率晶体管在电子系统中作为信号放大或大功率的半导体开关，是一类通用型的半导体器件，我国功率二极管、功率三极管、晶闸管等功率器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端功率器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口。2022年我国功率晶体管需求量为176.20亿个。
2017-2022年中国功率晶体管需求量
资料来源：世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询（共研网）
功率器件能在高频工作时更节能节材，并且大幅减少设备体积和重量。事实上，功率技术已经成为保持分立器件产品活力的最主要动力。各类电子产品对功率变换、电源管理方面日益增长的需求构成功率晶体管产品最直接的市场增长点，2022年功率晶体管市场规模556.41亿元。
2017-2022年中国功率晶体管市场规模
资料来源：世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询（共研网）
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共研产业咨询 - 深度报告
2023-2029年中国功率晶体管行业全景调研及市场需求预测报告
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