氮化镓(GaN)是由氮和镓组成的一种半导体材料,因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料。氮化镓(GaN)外延片(GalliumNitride(GaN)Epiwafers)是指在蓝宝石、硅、氮化硅和氮化镓等衬底上通过CVD设备、MBE)设备、HVPE设备等进行晶体外延生长、制成外延片,制成的外延片主要应用于光电,电子和电力和微波射频等领域,其中主要应用是光电领域。
氮化镓(GaN)外延片产业链
资料来源:共研产业咨询(共研网)
随着国内外延生长技术的进步和应用技术不断开发,氮化镓(GaN)外延片的应用正在逐步扩大。2022年全球氮化镓(GaN)外延市场规模从2018年的2.58亿美元增长至4.69亿美元,预计2023年全球氮化镓(GaN)外延市场规模有望达到5.53亿美元。
2018-2023年全球氮化镓(GaN)外延市场规模情况
资料来源:共研产业咨询(共研网)
目前,全球主要厂商位于美国、欧洲、中国和日本。包括日本先端技术科技有限公司,晶湛半导体、Wolfspeed、SUMITOMO住友集团、EpiGaN等。其中晶湛半导体是中国企业,目前已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。中国企业还有江苏能华和苏州纳维科技。
全球及中国氮化镓(GaN)外延片市场竞争情况
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2023-2029年中国氮化镓(GaN)外延片市场深度调查与投资可行性报告
2023-2029年中国氮化镓(GaN)外延片市场深度调查与投资可行性报告
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