IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）全称为绝缘栅双极晶体管，结构上由BJT和MOSFET组合而成，兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是未来功率半导体应用的主要发展方向之一。IGBT一般按照电压等级划分为三类，低压（600V以下）IGBT一般用于消费电子等领域，中压（600V-1200V）IGBT一般用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域，高压（1700V-6500V）一般用于轨道交通、新能源发电和智能电网等领域。
据统计2022年全球IGBT市场规模为72.6亿美元，其中IGBT单管规模从2015年的7.7亿美元增长至2022年的21.7亿美元；IGBT功率模块规模从2015年的24.1亿美元增长至2022年的50.9亿美元。
2015-2022年全球IGBT单管及功率模块市场规模走势图
资料来源：世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询（共研网）
据测算：2022年我国IGBT市场规模为187.31亿元。其中IGBT单管规模从2015年的10.77亿元增长至2022年的73.43亿元；IGBT功率模块规模从2015年的45.28亿元增长至2022年的113.88亿元。
2015-2023年中国IGBT单管及功率模块市场规模及预测
资料来源：世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询（共研网）
价格方面，2022年国内IGBT单管平均售价为7.98元/只，IGBT功率模块平均销售价格为68.45元/只。
2015-2023年我国IGBT单管及功率模块市场均价走势及预测
资料来源：世界半导体贸易统计协会、共研产业咨询（共研网）
未来，IGBT的技术发展方向可归纳为更高的功率密度、开关频率，以及更小的导通压降、开关损耗、芯片尺寸、模块体积。目前IGBT已经历多次技术迭代升级，在减小模块尺寸、提高输出功率、降低功率损失方面不断优化。在IGBT技术迭代的过程中，英飞凌、三菱电机等国外厂商担任了引领者角色，国产厂商有望通过跨代发展的方式加速缩短与国际领先厂商的技术差距，实现弯道超车。
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共研产业咨询 - 深度报告
2023-2029年中国IGBT功率模块行业分析与发展前景报告
2023-2029年中国IGBT功率模块行业分析与发展前景报告
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