2024年高带宽存储器行业分析：全球高带宽存储器市场规模增速快，中国市场超过20亿元[图]

共研产业研究院通过对公开信息分析、业内资深人士和相关企业高管的深度访谈，以及分析师专业性判断和评价撰写了《2024-2030年中国高带宽存储器市场全景调研与市场调查预测报告》。本报告为高带宽存储器企业决策人及投资者提供了重要参考依据。

为确保高带宽存储器行业数据精准性以及内容的可参考价值，共研产业研究院团队通过上市公司年报、厂家调研、经销商座谈、专家验证等多渠道开展数据采集工作，并运用共研自主建立的产业分析模型，结合市场、行业和厂商进行深度剖析，能够反映当前市场现状、热点、动态及未来趋势，使从业者能够从多种维度、多个侧面综合了解当前高带宽存储器行业的发展态势。

高带宽存储器，简称HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，由超微半导体和SK Hynix发起，并逐渐成为高性能计算、数据中心以及图形处理器等领域的重要存储解决方案。

高带宽存储器特点

在市场竞争方面，由于HBM制造工艺包括TSV打孔、电镀、抛光等前道工艺以及混合键合等后道工艺，对设备和材料的要求极高，导致其生产成本也相对较高，所以HBM属于高技术门槛行业，行业企业极少。从市占率来看，全球三大原厂HBM市占率分别为SK Hynix（SK Hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。

全球高带宽存储器（HBM）市场份额占比

随着市场对高带、低功耗和高度可扩展内存需求不断增长，再加上人工智能普及及电子设备小型化、汽车和其他应用领域需求持续增加的趋势下，市场规模增加，预计2024年中国高带宽存储器（HBM）市场规模同比增长20%。

2019-2024年中国高带宽存储器（HBM）市场规模及增速