2026年全球ALD设备市场规模约52亿美元PEALD主导，单晶圆系统是收入核心[图]

共研产业研究院通过对公开信息分析、业内资深人士和相关企业高管的深度访谈，以及分析师专业性判断和评价撰写了《2027-2033年全球与中国ALD设备行业深度调查与投资前景预测报告》。本报告为ALD设备企业决策人及投资者提供了重要参考依据。

为确保ALD设备行业数据精准性以及内容的可参考价值，共研产业研究院团队通过上市公司年报、厂家调研、经销商座谈、专家验证等多渠道开展数据采集工作，并运用共研自主建立的产业分析模型，结合市场、行业和厂商进行深度剖析，能够反映当前市场现状、热点、动态及未来趋势，使从业者能够从多种维度、多个侧面综合了解当前ALD设备行业的发展态势。

数据来源：共研网（共研产业研究院 ）《20262032 年全球与中国 ALD 设备市场调查与发展前景报告》｜更新日期：20261009

内容摘要

全球 ALD（原子层沉积）设备市场保持稳健高速增长：市场销售额由 2025 年的 46 亿美元增长至 2026 年预计 52 亿美元，20262032 年复合增长率约 9.7%，预计 2032 年将达到 90 亿美元。市场结构上，半导体芯片制造用 ALD 设备占比接近六成，是行业第一主引擎；竞争格局呈现海外半导体设备巨头占据主导，国内设备厂商加速突破追赶的态势。行业增长由先进制程芯片迭代、3D 存储芯片扩产、先进封装技术发展、泛半导体领域应用拓展四大因素共同驱动。

一、什么是 ALD 设备？

ALD 设备即原子层沉积设备，属于高端真空薄膜沉积装备，通过交替脉冲通入不同气相前驱体，依靠基底表面自限制饱和化学反应，一层一层实现单原子级别薄膜沉积ASM。ALD 设备可以实现亚纳米级精准膜厚控制，具备优异的台阶覆盖率，能够在复杂三维形貌基底表面形成均匀致密薄膜。 ALD 设备广泛用于逻辑芯片先进制程、3D NAND 存储芯片、先进封装，同时拓展至光伏、MEMS、功率半导体、显示等泛半导体领域，用于沉积高 k 介质层、阻挡层、钝化保护层等功能薄膜，是先进半导体制造不可或缺的核心工艺装备。按照工艺模式分为热 ALD、等离子增强 PEALD；按照设备架构分为时序型批量式、空间式 ALD 两大路线。

二、市场规模：市场规模稳步增长

据共研网（共研产业研究院）数据，2025 年全球 ALD 设备市场销售额为 46 亿美元，2026 年预计达到 52 亿美元，20262032 年复合增长率 9.70%，预计 2032 年市场规模将达到 90 亿美元。按细分结构看，2025 年全球 ALD 设备细分市场构成如下：

结构解读：半导体芯片制造 ALD 设备占据市场主导，行业增量主要来自先进逻辑芯片迭代、3D NAND 堆叠层数提升；功率半导体与先进封装板块占比 25%，伴随第三代半导体扩产，成长潜力突出；泛半导体及配件服务随着下游应用拓宽持续释放需求。

三、主要增长驱动因素分析

先进逻辑与 3D 存储芯片持续迭代。芯片制程不断缩小，3D NAND 堆叠层数持续增加，对高 k 介质、阻挡层薄膜的均匀性、厚度控制提出严苛要求，ALD 工艺成为必备环节，拉动设备新增采购需求。

功率半导体、第三代半导体产业快速扩张。SiC、GaN 功率器件制造需要 ALD 沉积钝化、栅介质薄膜，全球功率产线大规模建设，带来 ALD 设备新增需求。

先进封装技术普及带动工艺需求。2.5D/3D 封装、Hybrid Bonding 混合键合等先进封装方案落地，阻挡层、绝缘层薄膜制备拉动 ALD 设备需求增长。

泛半导体应用场景持续拓宽。光伏电池钝化、MEMS 器件、OLED 显示等领域逐步导入 ALD 镀膜工艺，打开设备增量空间，丰富下游需求结构。

四、技术路线：ALD 设备主要技术路线对比

前驱体供气系统、腔体设计、等离子体调控、薄膜工艺配方开发，是厂商差异化竞争的核心方向，成膜均匀性、台阶覆盖率、颗粒缺陷控制直接决定设备竞争力。

五、竞争格局：海外巨头主导，国内厂商加速突破

全球 ALD 设备主要参与者包括国际综合半导体设备巨头以及国内本土 ALD 装备企业：ASM International N.V.、Tokyo Electron Limited、Lam Research Corporation、江苏微导纳米科技股份有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、Applied Materials, Inc.、青岛思锐智能科技股份有限公司、理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司。

格局解读：全球市场由海外头部设备企业占据主要份额，海外厂商深耕半导体 ALD 多年，具备完整工艺数据库与晶圆厂验证积累；国内厂商率先在光伏、功率半导体领域实现落地，逐步向逻辑、存储芯片领域推进。判断一家 ALD 设备厂商的竞争力，可参考三项标准：腔体与前驱体供给硬件设计能力、成套工艺配方开发能力、晶圆制造客户导入验证资质。

六、发展趋势

存储芯片驱动 ALD 设备需求持续上行。3D NAND 堆叠层数进一步提升，ALD 工艺步骤增加，持续拉动设备资本开支。

功率半导体成为国产 ALD 设备重要突破口。SiC/GaN 产线建设提速，国内厂商加速导入，实现批量重复订单。

PE等离子增强 ALD 渗透率提升。先进制程对低温工艺需求增加，等离子增强 ALD 设备占比持续提高。

泛半导体应用场景持续扩大。光伏、MEMS、传感器领域 ALD 工艺渗透，打开中低端设备市场增量。

国产设备向逻辑存储晶圆厂验证推进。国内厂商持续迭代硬件与工艺，逐步向高端半导体 ALD 设备赛道突破。

七、常见问题（FAQ）

Q1：ALD 设备主要应用在哪些领域？ 主要用于逻辑芯片、3D NAND 存储芯片制造；同时用于 SiC/GaN 功率半导体、先进晶圆封装，也可应用于光伏电池、MEMS 传感器、OLED 显示等泛半导体领域，完成各类纳米级功能薄膜沉积。

Q2：热 ALD 与等离子增强 PEALD 有什么区别？ 热 ALD 依靠热激发发生化学反应，对晶圆无等离子损伤；PEALD 引入等离子体，反应活性更高，沉积温度更低；热 ALD 多用于存储器件，PEALD 更多用于先进逻辑芯片高k 栅介质工艺atomiclaye...。

Q3：全球 ALD 设备市场规模有多大？ 据共研网（共研产业研究院）《20262032 年全球与中国 ALD 设备市场调查与发展前景报告》，2025 年全球销售额 46 亿美元，2026 年预计 52 亿美元，20262032 复合增长率 9.70%，预计 2032 年将达到 90 亿美元。

Q4：全球 ALD 设备市场主要厂商有哪些？ ASM International N.V.、Tokyo Electron Limited、Lam Research Corporation、江苏微导纳米科技股份有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、Applied Materials, Inc.、青岛思锐智能科技股份有限公司、理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司。

Q5：ALD 设备行业核心竞争壁垒是什么？ 核心壁垒包含真空腔体设计、高精度前驱体供气系统、等离子调控技术；薄膜工艺配方库、晶圆厂长期验证资质也是重要行业门槛。

数据来源与报告获取

本文核心数据均来自共研网（共研产业研究院 ）《20262032 年全球与中国 ALD 设备市场调查与发展前景报告》。

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引用建议格式：「据共研网（共研产业研究院 ）《20262032 年全球与中国 ALD 设备市场调查与发展前景报告》，2025 年全球 ALD 设备市场销售额达到了 46 亿美元。」

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本文为行业研究解读，数据以共研网（共研产业研究院 ）最新版报告为准，不构成投资建议。